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韩国三星实现3nm纳米片晶体管

放大 缩小

据美国《科技纵览》(IEEE Spectrum)期刊官网202135日报道,韩国三星使用纳米片晶体管,实现灵活调整存储单元的设计,降低了功耗。

逻辑芯片行业在晶体管结构上正发生根本性变革。如今的鳍式场效应晶体管(FinFET)将让位于各种纳米片晶体管、多桥通道 FET 晶体管、和全环绕栅极晶体管(gate-all-around transistor)。纳米片不仅帮助晶体管缩小体积、提升性能,还为电路设计增加了一定的灵活度,这是FinFET无法做到的。在20213月初的IEEE国际固态电路大会(IEEE International Solid-State Circuits Conference)上,韩国三星工程师展示了这种灵活性可在减少数百毫伏电压的情况下实现片上存储器的信息写入,有望使未来芯片的功耗降低。

 

信息来源:

https://spectrum.ieee.org/nanoclast/semiconductors/memory/samsungs-3nm-tech-shows-nanosheet-transistor-advantage

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